日前，中国国际科技促进会召开广东省台山市华兴光电科技有限公司（下简称华兴光电）完成的“基于B-VGF法高品质磷化铟单晶衬底制备技术”研发项目科技成果评价会。会上，这一自主创新项目技术顺利通过中国国际科技促进会科技成果评价，认为该项目达到国际先进水平。

    磷化铟单晶是何物？这一自主创新项目技术有何难度？为何得到中国国际科技促进会如此高的评价？日前，记者来到华兴光电的实验室，一探究竟。

    江门日报记者/陈素敏

    在华兴光电的实验室，记者看到6个约2米高的大型晶体生长炉。工作人员将磷化铟单晶的生长材料缓慢放入炉内进行密封关闭，再通过电脑对生长炉进行智能控制。在这个最高温度达到1200℃的生长炉内，材料将在7天时间内逐渐生长为磷化铟单晶。

    磷化铟是Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料，有波长稳定和高迁移率的独特物理性能，是能应用于微波、毫米波器件领域中的高端材料。如今，磷化铟的应用领域非常广泛，可用于航空、军事、光纤通信、医疗器械等。

    华兴光电成立于2007年，从一开始便专注磷化铟单晶的研发工作。该公司招揽了国内一批资深研发人员和国外专家，组成核心研发团队。

    “我们是从零起步，没有图纸、没有相关设备、没有基本数据、没有技术指导。”原本从事电力工作的欧阳俊朝，在朋友的推荐下在该公司成立之初就加入了研发团队，坚守14年的他，如今是企业的骨干技术专家。欧阳俊朝坦言，起步阶段最为困难，每天重复无数次实验，获得的是无数次失败。经历无数次失败，坚守信念的研发团队依然不放弃，不断地重新计算、调整，再实验，才获得材料生长的关键数据。

    2014年，该公司首次成功使用VGF生长法生长磷化铟单晶，在此基础上继续发力，成功开发出VGF生长法生产磷化铟单晶片的整套工艺和生产设备，实现高品质低位错磷化铟单晶片的全部国产化。测评结果表明，该磷化铟单晶片各项参数均优于国际商用水平，填补了该项材料在国内的技术空白。

    中国工程院院士、清华大学教授周济，工信部电子第四研究院教授王毅等国内知名科技工作者出席了此次评价会，并担任评委。评委会听取了该项目完成单位的技术总结报告，对评价资料进行了审查和质询答辩。评委们认为，该项目技术达到国际先进水平，一致同意通过科技成果评价。周济认为，华兴光电发明的磷化铟单晶制备的新配方和关键装备，获得了综合性能良好的磷化铟单晶，属于自主创新。

    “下一步，我们要顺应经济发展的需要，尽快把技术转化为生产力。”华兴光电办公室主任黄俊健说。